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ゲート絶縁膜をリークするわけじゃないだろ。
ゲートリークよりサブスレショルドリーク(OFFリーク)が主力
ゲート絶縁膜をリークするわけじゃない
間違いではないにしろ、これはやっぱり記述としてはおかしいんで、
ゲート絶縁膜をリークするわけじゃないだろ。「(スタティック電力の主力は)ゲート絶縁膜をリークするわけじゃないだろ。」と補って読むのがごく自然ですよね。
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ソースを見ろ -- ある4桁UID
電流の消費には２種類ある。 (スコア:1)
ＣＰＵなどＣＭＯＳ系の電流消費には２種類あります。
ＦＥＴのゲートがコンデンサ（容量負荷）となって、スイッチのオンオフで充電・放電で消耗するダイナミック。
ＦＥＴのゲートの絶縁膜を透過してしまうリーク電流が流れるスタティック。
ダイナミックの要素は、周波数に比例して消費電力が増大します。
スタティックの要素は、最近の進んだ微細化で表面化してきた問題で昔は問題になる要素じゃなかったのです。
そして、この２種類が有る中で、対策を立てます。
ダイナミックを削るには、負荷が軽いときに低周波化する、ゲートを小さくしてコンデンサを小さくする。
スタ
Re: (スコア:0, 参考になる)
トランジスタOFF時のソースドレイン間のリークがスタティック電流の主力。
Re: (スコア:0, フレームのもと)
http://journal.mycom.co.jp/column/architecture/005/index.html [mycom.co.jp]
「ゲート酸化膜をトンネル効果で突き抜けて電流が流れるというメカニズムによるゲートリーク」とありますが。
Re: (スコア:0, 荒らし)
Re: (スコア:0, フレームのもと)
なので、サブスレッショルド・リーク電流とゲート・リーク電流の両方について記述のあるページを選んで挙げました。
Re: (スコア:-1, フレームのもと)
知らなくても恥しいことではないけど、知ったかぶりと往生際の悪いのは見苦しいよ。
#1371612
> ＣＰＵなどＣＭＯＳ系の電流消費には２種類あります。
> ＦＥＴのゲートがコンデンサ（容量負荷）となって、スイッチのオンオフで充電・放電で消耗するダイナミック。
> ＦＥＴのゲートの絶縁膜を透過してしまうリーク電流が流れるスタティック。
間違いではないにしろ、これはやっぱり記述としてはおかしいんで、
#1371648
> ゲート絶縁膜をリークするわけじゃないだろ。
「(スタティック電力の主力は)ゲート絶縁膜をリークするわけじゃないだろ。」と補って読むのがごく自然ですよね。
> トランジスタOFF時のソースドレイン間のリークがスタティック電流の主力。
Re:電流の消費には２種類ある。 (スコア:0, フレームのもと)
そうできなかったのは何故でしょう？ちょっとアツくなっちゃってたからでは？
Re: (スコア:0)
りょうくんの投稿は間違いではないんだけど、話がそれてるんだよ。
Re: (スコア:0)
その、#1371695の段階で
> 上のURLの記事をよく読むとわかるが、元ACの言うとおりゲートリークよりサブスレショルドリーク(OFFリーク)が主力だよ、ぼくちゃん
バッチリ補足して書きました。
> 私が問題にしてた点が「スタティック電力の主力」ではないことは、#1371672とそのコメントで挙げられていたURLの先を読めば明らかなのだから。
あなたが問題にしてた点は、#1371648のゲートリークなぞ存在しないとも読めるの記述の揚げ足取りですよね？
あなたは今までもずいぶん他人の揚げ足を取ってますからね。
#1371648のサブスレショルドリークについての正確な記述を見れば、彼がゲートリークを知らないはずがないことは明らかですが、
まさか本当に「#1371648はゲートリーク知らねえでやんの！こいつバカじゃん！」と思ったわけではないですよね？